Toshiba: "TPH3R10AQM" MOSFET Kuasa Saluran N 100V yang direka dengan proses generasi terkini Toshiba, U-MOS X-H. (Grafik: Business Wire)– Menampilkan kawasan pengendalian selamat yang rendah Dalam Rintangan dan dikembangkan, menggunakan proses generasi terkini –KAWASAKI, Jepun, 30 Jun (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan “
TPH3R10AQM,” MOSFET kuasa saluran N 100V yang direka dengan proses generasi terkini Toshiba, U-MOS X-H. Produk menyasarkan aplikasi seperti litar pensuisan dan litar pertukaran panas
[1] pada talian kuasa elektrik kelengkapan industri yang digunakan untuk pusat data dan stesen pangkalan komunikasi. Penghantaran bermula pada hari ini.
TPH3R10AQM mempunyai punca saliran maksimum 3.1mΩ Dalam Rintangan yang terunggul dalam industri
[2], 16%
[2] lebih rendah daripada produk 100V Toshiba, “
TPH3R70APL,” yang menggunakan proses generasi terdahulu. Melalui perbandingan yang sama, TPH3R10AQM telah mengembangkan kawasan pengendalian selamat sebanyak 76%
[3] menjadikannya sesuai untuk pengendalian mod linear. Mengurangkan Dalam Rintangan dan mengembangkan julat pengendalian linear dalam kawasan pengendalian selamat dengan pengurangan bilangan penyambungan selari. Tambahan pula, julat voltan ambang get ialah daripada 2.5V hingga 3.5V, menjadikan get itu berkemungkinan kecil mengalami kerosakan disebabkan oleh hingar voltan get.
Produk baharu tersebut menggunakan pakej SOP Awal(N) yang amat serasi dengan jejak.
Toshiba akan terus mengembangkan barisan MOSFET kuasa yang boleh meningkatkan kecekapan bekalan kuasa elektrik dengan mengurangkan kehilangan kuasa dan membantu mengurangkan penggunaan kuasa kelengkapan.
Aplikasi· Bekalan kuasa elektrik untuk kelengkapan komunikasi seperti di pusat data dan stesen pangkalan komunikasi
· Bekalan kuasa elektrik pensuisan (Penukar DC-DC berkecekapan tinggi dan sebagainya)
Ciri Produk· Menampilkan Dalam Rintangan terunggul yang cemerlang dalam industri
[2] : R
DS(ON)=3.1mΩ (maksimum) (V
GS=10V)
· Kawasan pengendalian selamat yang luas
· Pengkadaran suhu saluran tinggi: T
ch (maksimum)=175°C
Catatan::
[1] Litar untuk menyambung dan memutuskan komponen kepada sistem tanpa menutup sistem semasa kelengkapan sedang dikendalikan.
[2] Tinjauan Toshiba setakat bulan Jun 2023.
[3] Kelebaran denyut: t
w=10ms, V
DS=48V
Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai produk baharu.
TPH3R10AQMIkuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai MOSFET Toshiba.
MOSFETUntuk menyemak ketersediaan produk baharu di pengedar dalam talian, kunjungi:
TPH3R10AQM
Beli Dalam Talian* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat hubungan, adalah yang terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis diberikan terlebih dahulu.
Maklumat Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage CorporationToshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan termaju, memanfaatkan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan kepada pelanggan dan rakan perniagaan semikonduktor diskret, sistem LSI dan produk HDD yang luar biasa.
Tenaga kerja syarikat seramai 21,500 di seluruh dunia berkongsi keazaman untuk memaksimumkan nilai produk dan menggalakkan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai bersama dan pasaran baharu. Bersama jualan tahunan yang menghampiri 800 bilion yen (AS$6.1 bilion), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap dapat membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk orang ramai di mana-mana sahaja.
Ketahui lebih lanjut di
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.htmlTeks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.
