ADGSOM1 & ADGMIN1  
       
  LAUNCH OF THE 50TH ANNIVERSARY CELEBRATION OF RUKUN NEGARA  
       
  KL SUMMIT 2019  
       
  HAWANA 2018  
       
  AES 2016  
       

 
 
 

April 22, 2024 -Isnin

 
  TOSHIBA MENGELUARKAN MOSFET KUASA DENGAN DIOD BERKELAJUAN TINGGI YANG MEMBANTU MENINGKATKAN KECEKAPAN BEKALAN KUASA

Friday 23/02/2024



Table
Toshiba: DTMOSVI(HSD), MOSFET berkuasa dengan diod berkelajuan tinggi yang membantu untuk meningkatkan kecekapan bekalan kuasa. (Grafik: Business Wire)
 
- Tambahan baharu kepada Siri DTMOSVI generasi terkini dengan struktur simpang super -
 
KAWASAKI, Jepun, 23 Feb (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah menambah DTMOSVI(HSD), MOSFET kuasa dengan diod berkelajuan tinggi yang sesuai untuk bekalan kuasa pensuisan, termasuk pusat data dan penyesuai kuasa fotovolta, kepada siri DTMOSVI generasi terbaharunya[1] dengan struktur simpang super. Penghantaran dua produk pertama "TK042N65Z5” dan “TK095N65Z5," MOSFET kuasa N-saluran 650V dalam pakej TO-247, bermula hari ini.

Produk baharu itu menggunakan diod berkelajuan tinggi untuk meningkatkan ciri pemulihan balikan[2] yang penting bagi litar titi dan aplikasi litar penyongsang. Berbanding DTMOSVI standard, ia mencapai pengurangan 65% dalam masa pulih balikan (trr), dan pengurangan 88% dalam cas pulih balikan (Qrr) (syarat pengukuran: -dIDR/dt= 100A/μs).

Proses DTMOSVI(HSD) yang digunakan dalam produk baharu meningkatkan ciri pulih balikan siri DTMOSIV Toshiba dengan diod berkelajuan tinggi (DTMOSIV(HSD)), dan mempunyai arus terpotong salir yang lebih rendah pada suhu tinggi. Angka merit "rintangan Hidup salir punca × cas get salir" juga lebih rendah. Arus terpotong salir suhu tinggi bagi TK042N65Z5 adalah lebih kurang 90%[3] lebih rendah dan rintangan Hidup salir punca × cas get salir adalah 72% lebih rendah, berbanding TK62N60W5[4] [5] semasa Toshiba. Kemajuan ini akan mengurangkan kehilangan kuasa peralatan dan membantu meningkatkan kecekapan. TK042N65Z5 menunjukkan peningkatan maksimum dalam kecekapan bekalan kuasa berbanding TK62N60W5 semasa iaitu kira-kira 0.4%, seperti yang diukur dalam litar 1.5kW LLC[6].
 
Reka bentuk rujukan, “1.6kW Server Power Supply (Upgraded)”, yang menggunakan TK095N65Z5 boleh didapati di laman web Toshiba hari ini. Syarikat itu juga menawarkan alat yang menyokong reka bentuk litar untuk bekalan kuasa pensuisan. Di samping model G0 SPICE, yang mengesahkan fungsi litar dalam masa yang singkat, model G2 SPICE yang sangat tepat yang menghasilkan semula ciri fana dengan tepat kini tersedia.

Toshiba merancang untuk mengembangkan barisan DTMOSVI(HSD) dengan keluaran peranti dalam pakej lubang tembus TO-220 dan TO-220SIS serta pakej peletakan permukaan TOLL dan DFN 8×8.

Syarikat itu juga akan terus mengembangkan barisan siri DTMOSVI melangkaui produk 650V dan 600V yang telah dikeluarkan dan produk baharu dengan diod berkelajuan tinggi. Ini akan meningkatkan kecekapan bekalan kuasa pensuisan, yang menyumbang kepada peralatan jimat tenaga.

Nota:
[1] Sehingga 22 Februari 2024, tinjauan Toshiba.
[2] Tindakan pensuisan yang mana diod badan MOSFET bertukar daripada terpincang hadapan kepada terpincang mundur.
[3] Nilai diukur oleh Toshiba. Produk baharu TK042N65Z5 ialah 0.2mA (syarat ujian: VDS=650V, VGS=0V, Ta=150°C.)
Produk sedia ada TK62N60W5 ialah 1.9mA (syarat ujian: VDS=600V, VGS=0V, Ta=150°C).
[4] Siri 600V DTMOSIV(HSD).
[5] Nilai diukur oleh Toshiba.
Syarat ujian:
TK62N60W5
• RDS(ON): ID=30.9A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=61.8A, Ta=25°C
TK042N65Z5
• RDS(ON): ID=27.5A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=55A, Ta=25°C
[6] Nilai diukur oleh Toshiba.
Syarat ujian: Vmasuk=380V, Vkeluar=54V, Ta=25°C 

Penggunaan

Peralatan industri
  • Bekalan kuasa pensuisan (pelayan pusat data, peralatan komunikasi, dsb.)
  • Stesen pengecasan EV (Kenderaan Elektrik)
  • Penyesuai kuasa untuk penjana fotovolta
  • Sistem kuasa tanpa gangguan
Ciri-ciri
  • MOSFET dengan diod berkelajuan tinggi dalam siri DTMOSVI generasi terkini
  • Masa pulih balikan disebabkan oleh diod berkelajuan tinggi:
    TK042N65Z5 trr=160ns (tipikal)
    TK095N65Z5 trr=115ns (tipikal)
  • Masa pensuisan berkelajuan tinggi disebabkan oleh cas get salir yang rendah:
    TK042N65Z5 Qgd=35nC (tipikal)
    TK095N65Z5 Qgd=17nC (tipikal) 
Table
 
Nota:
[7] VDSS=600V

Ikut pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang produk baharu.
TK042N65Z5
TK095N65Z5

Ikut pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang MOSFET Toshiba.
MOSFET

* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan mungkin merupakan tanda dagangan syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat hubungan, adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka bagi penyelesaian semikonduktor dan storan termaju, menggunakan lebih setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan pelanggan dan rakan kongsi perniagaan semikonduktor diskret, sistem LSI dan produk HDD yang cemerlang.

21,500 orang pekerja syarikat ini di seluruh dunia berkongsi keazaman untuk memaksimumkan nilai produk dan menggalakkan kerjasama rapat dengan pelanggan dalam penciptaan bersama nilai dan pasaran baharu. Dengan jualan tahunan menghampiri 800 bilion yen (US$6.1 bilion), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk orang ramai di mana-mana sahaja.
 
Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/53899054/en


Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Hubungan

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media:
Chiaki Nagasawa
Jabatan Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 

--BERNAMA

 
 
 

Copyright @ 2024 MREM . All rights reserved.