KAWASAKI, Jepun, 14 Nov (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah membangunkan "X5M007E120," sebuah bare die[1] 1200V silikon karbida (SiC) MOSFET untuk penukar daya kenderaan[2] dengan struktur inovatif yang memberikan Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. Sampel ujian kini dihantar untuk penilaian oleh pelanggan.

Kebolehpercayaan SiC MOSFET tipikal sering merosot apabila Hidupkan-rintangan meningkat disebabkan pengaktifan diod badan secara bipolar[3] semasa operasi konduksi terbalik[4]. SiC MOSFET Toshiba mengatasi isu ini melalui struktur peranti yang menggabungkan diod penghalang Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menyahaktifkan diod badan, namun, kedudukan SBD pada cip mengurangkan kawasan yang tersedia untuk saluran yang menentukan rintangan Hidupkan-operasi MOSFET dan meningkatkan cip.Hidupkan-rintangan.

Dalam MOSFET SiC X5M007E120, susunan dalam corak semak inovatif Toshiba bagi Diod Penghalang Schottky (SBD) meningkatkan prestasi berbanding corak jalur konvensional. Reka bentuk ini membantu mencegah pengaktifan bipolar diod badan, meningkatkan kapasiti operasi unipolar dengan menggandakan kawasan pembawa arus secara kasar, walaupun SBD menduduki ruang yang sama[5]. Selain itu, corak ini meningkatkan ketumpatan saluran, mengakibatkan pengurangan kira-kira 20-30% dalam Hidupan-rintangan per unit kawasan[5]. Gabungan Hidupkan-rintangan rendah dan kebolehpercayaan tinggi di bawah pengaliran songsang meningkatkan kecekapan tenaga, terutamanya dalam aplikasi kawalan motor seperti inverter tarikan automotif.

Mengurangkan Hidupkan-rintangan dalam SiC MOSFET menyebabkan aliran arus berlebihan melalui MOSFET semasa litar pintas[6], yang mengurangkan ketahanan terhadap litar pintas. Meningkatkan pengaliran SBD terbenam untuk meningkatkan kebolehpercayaan operasi konduksi terbalik juga meningkatkan kebocoran arus semasa litar pintas, sekali lagi mengurangkan ketahanan litar pintas. Die tanpa pelindung baru ini mempunyai struktur penghalang dalam[7] yang menekan arus berlebihan dalam MOSFET dan kebocoran arus dalam SBD semasa status litar pintas, meningkatkan ketahanannya sambil mengekalkan kebolehpercayaan yang sangat baik terhadap operasi konduksi terbalik.

Pengguna boleh menyesuaikan die tanpa pelindung untuk memenuhi keperluan reka bentuk khusus mereka dan merealisasikan penyelesaian untuk aplikasi mereka.

Toshiba dijangka akan menyediakan sampel kejuruteraan X5M007E120 pada tahun 2025, dan memulakan pengeluaran secara besar-besaran pada tahun 2026. Sementara itu, Toshiba akan meneroka peningkatan lanjut terhadap ciri-ciri peranti tersebut.

Toshiba akan menyumbang kepada merealisasikan masyarakat yang ternyahkarbonisasi dengan menyediakan semikonduktor kuasa yang lebih mudah digunakan dan berprestasi tinggi untuk bidang-bidang yang kecekapan tenaga adalah penting, seperti penukar untuk kawalan motor dan sistem kawalan kuasa untuk kenderaan elektrik.

Nota:
[1] Produk cip yang tidak dibungkus.
[2] Peralatan yang menukar kuasa DC yang dikuasakan oleh bateri kepada kuasa AC dan mengawal motor dalam kenderaan elektrik (EV) atau kenderaan hibrid (HEV).
[3] Operasi bipolar apabila voltan hadapan dikenakan pada diod pn antara saluran dan sumber.
[4] Satu operasi di mana arus mengalir dari sumber ke saluran MOSFET disebabkan oleh refluks arus dalam litar.
[5] Berbanding dengan produk Toshiba yang menggunakan corak jalur.
[6] Fenomena di mana konduksi jangka panjang berlaku semasa mod aneh seperti kegagalan litar kawalan, berbanding dengan konduksi jangka pendek semasa operasi suis biasa. Ketahanan yang tidak gagal dengan tempoh operasi litar pintas tertentu diperlukan.
[7] Unsur dalam struktur peranti yang disediakan untuk mengawal medan elektrik tinggi disebabkan oleh voltan tinggi. Ia sangat mempengaruhi prestasi peranti.

Aplikasi

· Inverter tarikan automotif

Ciri-ciri

· Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi
· Bare die untuk automotif
· Diperakui AEC-Q100
· Penarafan voltan saluran-sumber: VDSS=1200V
· Penarafan arus saluran (DC): ID=(229)A[8]
· Hidupkan-rintangan yang rendah:
RDS(ON)=7.2mΩ (typ.) (VGS=+18V, Ta=25°C)
RDS(ON)=12.1mΩ (typ.) (VGS=+18V, Ta=175°C) 

Nota
[8] Nilai tentatif 



Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang X5M007E120 dalam siaran akhbar yang lebih terperinci.
Toshiba Memulakan Penghantaran sampel Uji bagi Bare Die 1200V SiC MOSFET dengan Rintangan Rentdah dan Kebolehpercayaan Tinggi, untuk Digunakan Dalam Inverter Tarikan Automotif

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut tentang Peranti Kuasa SiC Toshiba.
Peranti Kuasa SiC

* Nama syarikat, nama produk dan nama perkhidmatan merupakan tanda dagang syarikat masing-masing.
* Maklumat dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan perkhidmatan dan maklumat hubungan,adalah terkini pada tarikh pengumuman tetapi tertakluk kepada perubahan tanpa notis awal. 

Maklumat Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pembekal terkemuka penyelesaian semikonduktor dan storan yang canggih, menggabungkan lebih daripada setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan pelanggan serta rakan perniagaan produk semikonduktor diskret, LSI sistem dan produk HDD yang unggul.

Seramai 19,400 pekerja di seluruh dunia berkongsi tekad untuk memaksimumkan nilai produk dan menggalakkan kerjasama erat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai bersama dan pasaran baharu. Syarikat ini berhasrat untuk membina dan menyumbang kepada masa depan yang lebih baik untuk semua.

Ketahui selanjutnya di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

Galeri Multimedia/Foto Sedia Ada: https://www.businesswire.com/news/home/54145871/en

Butiran Hubungan
Pertanyaan Pelanggan
Jabatan Jualan & Pemasaran Peranti Kuasa Kecil
Tel: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Pertanyaan Media
Chiaki Nagasawa
Jabatan Pemasaran Digital
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
 
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

--BERNAMA